檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "Integrated".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="氮化鎵"
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本論文使用商用氮化鎵LED晶圓，利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，選擇性的將部分最上層的p-AlGaN反轉成n-AlGaN，使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構，在同一…
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本論文討論在三相交錯式降壓轉換器中使用的耦合電感的優化。為實現高效率和高功率密度，轉換器使用氮化鎵開關元件，降低高頻操作下的開關損耗，原本使用三個獨立電感，優化為整合耦合電感來減少磁性元件的數量。並…
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本論文提出應用於資料中心的隔離型直流-直流轉換器。電路架構採用能夠在全負載範圍達到一次側開關零電壓切換(ZVS)，二次側開關零電流切換(ZCS)的全橋LLC串聯諧振式轉換器，並使用寬能隙氮化鎵元件取…
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提升切換頻率來降低磁性元件以及濾波元件的大小，藉此提升產品的功率密度已是產業的趨勢。但是以往受限於矽元件的特性，大幅限制了電路的切換頻率，近來氮化鎵元件的興起使得電路可以操作於更高的切換頻率。 以高…
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本論文提出應用於資料中心48 V電壓調節模組的48 V-12 V隔離式直流-直流轉換器。考量到在1 MHz的開關切換頻率下，開關切換損耗大幅上升，因此選擇具有一次側開關零電壓切換與二次側開關零電流切…
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本論文主要目標在於研製500 W半無橋功率因數修正器，其操作頻率設置在300 kHz，並採用寬能矽元件降低其切換損失及採用整合式平面電感降低電路體積，且具有高功率因數、高效率及低電流諧波。文中比較C…